【陈星弼院士逝世】2024年10月，我国著名半导体物理学家、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼先生因病医治无效，不幸逝世，享年87岁。陈星弼院士一生致力于半导体器件与集成电路领域的研究，为中国微电子技术的发展作出了卓越贡献。
陈星弼院士生平简要总结：
陈星弼院士于1937年出生于江苏南京，1959年毕业于成都电讯工程学院（现电子科技大学），后留校任教。他长期从事半导体器件与集成电路的研究工作，尤其在功率半导体器件领域取得了国际领先的成果。他是中国最早开展功率MOSFET研究的科学家之一，其研究成果广泛应用于电力电子、新能源等领域。
陈星弼院士曾多次获得国家科技进步奖、教育部科技进步奖等荣誉，并于1999年当选为中国科学院院士。他不仅是一位杰出的科学家，也是一位优秀的教育家，培养了大批优秀的科研人才。
陈星弼院士主要成就一览表：
| 项目 | 内容 |
| 出生年份 | 1937年 |
| 逝世年份 | 2024年 |
| 籍贯 | 江苏南京 |
| 毕业院校 | 成都电讯工程学院（现电子科技大学） |
| 研究方向 | 半导体器件、功率MOSFET、集成电路 |
| 荣誉奖项 | 国家科技进步奖、教育部科技进步奖等 |
| 院士称号 | 中国科学院院士（1999年） |
| 教育贡献 | 培养大量科研人才，推动微电子学科发展 |
| 社会影响 | 在电力电子、新能源等领域有广泛应用 |
陈星弼院士的逝世是中国科技界的重大损失。他的学术精神和科学成就将继续激励后人不断探索与创新。我们深切怀念这位为国家科技事业作出杰出贡献的科学家。
